In het huidige big data tijdperk kent de vraag naar meer bandbreedte een ongeziene groei. Deze evolutie noopt tot de ontwikkeling van hoog-performante zender-ontvangers voor gebruik in datacenters die deze hoge bandbreedtes aankunnen zonder buitensporig veel energie te verbruiken. Silicium-fotonica heeft zich ontpopt tot een belangrijk platform voor de realisatie van efficiënte, optische hogesnelheidszender-ontvangers. Maar als silicium-fotonica de technologie van de toekomst wil worden, is het noodzakelijk om on-chip lasers te ontwikkelen die kunnen werken bij hoge omgevingstemperaturen en efficiënt licht kunnen koppelen naar de silicium chip. Dit onderzoek omvat het ontwerp, de fabricage en de karakterisatie van InAs/GaAs quantum dot (QD) lasers geïntegreerd op silicium. Door hun unieke eigenschappen zijn QD lasers stabieler bij temperatuurschommelingen en verbruiken ze minder energie. Er werd een nieuw proces ontwikkelt om QD materiaal te integreren op SOI en lasers te fabriceren. Daarnaast is uitgebreid onderzoek gedaan naar verschillende koppelingsmechanismen om licht van de QDs te koppelen naar de silicium golfgeleider. Dit leidde tot 's werelds eerste single-mode InAs/GaAs QD laser geïntegreerd op en gekoppeld naar een silicium chip. Bovendien werd hetzelfde materiaal ook gebruikt om QD mode-locked lasers te fabriceren voor ultrahogesnelheidstoepassingen. Om deze lasers te ontwerpen, werden eerst QW mode-locked lasers gekarakteriseerd.