In dit werk pakten we een van de grootste uitdagingen aan in het snel evoluerende gebied van silicium fotonica: de realisatie van een efficiënte, elektrisch aangedreven halfgeleider laser en dat op een materiaal platform van silicium-op-isolator (SOI). We onderzochten hybride III-V/Si lasers, geschikt voor optische verbindingen en gebaseerd op een bonding technologie met DVS-BCB polymeren. We stellen het ontwerp, de fabricage en de karakterisering van evanescent gekoppelde hybride III-V/Si lasers voor van het Fabry-Perot en gedistribueerde terugkoppeling (DFB) type die licht uitstralen met een golflengte van 1310 nm. De DVS-BCB bonding procedure was machinaal, werd speciaal voor dit werk ontwikkeld en resulteerde in bonding diktes van minder dan 100 nm wat voldoende is voor evanescente koppeling. Karakterisering van deze lasers toonde aan dat de prestaties vergelijkbaar zijn met die gemaakt via een directe bonding technologie. Onze DFB lasers werkten tot 55 °C in continu regime (CW). De resultaten van dit werk openen nieuwe perspectieven voor verdere ontwikkeling, zowel voor de DVS-BCB bonding technologie als voor het ontwerp van de hybride III-V/Si lasers. De belangrijkste doelstellingen in de toekomst zijn enerzijds de bonding procedure uitbreiden naar het simultaan bonden van meerdere chips en anderzijds het reduceren van de thermische weerstand.