Onze huidige samenleving wordt gekenmerkt door een immer toenemende nood aan bandbreedte wat leidt tot de exploratie van nieuwe delen van het elektromagnetische spectrum voor datatransmissie. Dit resulteert in een stijgende interesse en ontwikkeling van millimetergolf (mm-wave) circuits die de mogelijkheid bieden tot korte afstand multi-gigabit draadloze transmissies bij 60GHz. Deze relatief nieuwe applicaties zullen aanwezig zijn naast reeds gevestigde mm-wave commerciële producten waaronder satellietsystemen in de Ka-band (26.5GHz - 40GHz) die volgende zaken toelaten: video uitzending, spraak over IP (VoIP), internet toegang in afgelegen gebieden, ... Beide hebben behoefte aan significante linaire vermogensversterking door de hoge attenuatie typisch voor dit gedeelte van het elektromagnetisch spectrum, echter, satellietsystemen vereisen een gesatureerd uitgangsvermogen dat makkelijk een grootte-orde hoger ligt (uitgangsvermogen boven de 30dBm / 1W). Om de commerciële haalbaarheid van consumentenproducten binnen dit marktsegment verder te verhogen is een lage productiekost voor de vermogenversterker, samen met de mogelijke integratie van bijkomende functionaliteit, uitermate wenselijk. Deze kenmerken komen overeen met de positieve punten van silicium gebaseerde chiptechnologieën zoals CMOS en SiGe BiCMOS. Het uitgevoerde onderzoek omvat bijgevolg het ontwerp van een SiGe BiCMOS vermogenversterker voor de Ka-band met een kwart watt uitgangsvermogen.