In dit proefschrift wordt selectieve laserablatie onderzocht als methode voor patroondefinitie van dunne lagen bij de productie van organische elektronica, met nadruk op dunne lagen gebruikt voor de opbouw van OLED of OPV. Laserablatie wordt gekenmerkt door enkele uitzonderlijke eigenschappen die voordelig kunnen zijn voor het patterneringsproces: snellere uitvoering (minder uit te voeren stappen), geen gebruik van nat-chemische methodes, weinig impact op het milieu door minimale productie van afvalstoffen en potentiële integratie in een roll-to-roll-productieproces. Twee grote doelstellingen worden naar voor geschoven in dit werk. Ten eerste is er de selectieve verwijdering van dunne organische lagen die deel uitmaken van een OLED opbouw, met als finale demonstrator een OLED vervaardigd op een flexibel substraat. Hierbij is de grootste uitdaging om de onderliggende lagen (organisch of anorganisch) niet te beschadigen tijdens ablatie. De tweede grote doelstelling bestaat erin om een laser met een golflengte in het infrarood gebied aan te wenden voor de selectieve ablatie van dunne organische lagen in een OPV cel. Bij deze techniek wordt het principe van resonante infraroodablatie (RIA) gebruikt.