Het voorliggende doctorale onderzoek houdt verband met de thermische modellering, het experimenteel analysie en de evaluatie van vlakke spiraalvormige inductanties geintegreerd in silicium. Inductanties zijn passieve elementen die essentieel zijn voor diverse elektronische schakelingen. Bij zeer hoge frequencies zijn de vereiste waarden eerder klein zodaning dat een integratie op een silicium plak mogelijk wordt. In vergelijking met de andere componenten zijn de inductanties relatief groot. Als gevolg hiervan zijn er niet te verwaarlozen interferenties met naburige circuiten in dezelfde halfgeleiderstructuur. De stromen door de metalen verbindingen produceren warmte. Door de geringe afmetingen van de geleidende paden waaruit de inductantie is gemaakt, is de serieweerstand niet te verwaarlozen. Bijgevolg kan een niet te verwaarlozen opwarming ontstaan. Wij benaderen het problem van de thermische karakterisatie van een inductantie in stationaire toestand maar ook in het frequentiedomein. De stationaire temperatuurverdeling werd gemeten met infrarood thermografie (IR), en tegelijk werd hetzelfde probleem numeriek en analytisch berekend. Het probleem van het dynamische gedrag werd zowel numeriek als experimenteel met infrarood thermografie benaderd. Hierbij werd het stapantwoord van een inductantie opgemeten. De Nyquist plot is het instrument om de dynamische resultaten weer te geven in het frequentie domein.