In de huidige samenleving is duurzame energie één van de meest besproken onderwerpen. Om dit te bereiken is energie-efficiëntie van enorm groot belang. Zonnepanelen, elektrische voertuigen en stroomadapters zijn slechts enkele voorbeelden van toepassingen waarbij vermogen wordt getransformeerd en onvermijdelijk verloren gaat door middel van schakeling of geleiding. In de voorbije decennia hebben brede bandkloofmaterialen een grote belangstelling gewekt voor de vermogenshalfgeleiderindustrie. In het bijzonder toont gallium nitride (GaN) hogere efficiënties in toepassingen met hoge vermogens, vergeleken met traditionele Si tegenhangers. In recente literatuur is bezorgdheid geuit over de betrouwbaarheid en de geschatte levensduur van enerzijds de p-GaN/AlGaN/GaN schakelingssamenstelling en anderzijds de AlGaN/GaN-bufferlaag. In de literatuur worden extrapolatiemodellen voor levensduur van GaN transistoren gebruikt die specifiek voor Si transistoren enkele decennia geleden zijn ontwikkeld. In dit proefschrift wordt een stappenplan gepresenteerd met als doel een levensduurmodel op te bouwen voor de p-GaN schakelingssamenstelling en de AlGaN/GaN bufferlaag op basis van externe parameters zoals spanning, temperatuur en transistoroppervlakte. Dit statistisch-fysisch model zal van de grond op worden opgebouwd, door gebruik te maken van een combinatie van statistische faaldistributies en analyse van het fysische geleidingsmechanisme.