Het golflengtegebied tussen 2 en 2.5um is interessant voor verschillende toepassingsgebieden, aangezien verschillende gassen sterke absorptielijnen hebben in dit gebied. Het laat ook toe om metingen te doen op bio-molecules, zoals het meten van glucose in bloed. Het combineren van III-V halfgeleiders en fotonische geïntegreerde circuits gebaseerd op silicium laat toe om geïntegreerde systemen te maken in dit golflengtegebied. In deze thesis demonstreren we voor de eerste keer III-V-op-silicium fotonische geïntegreerde circuits rond een golflengte van 2.35um, bestaande uit passieve golfgeleidercircuits, laserbronnen, fotodetectoren en spectrometers. De opto-elektronische componenten zijn gerealizeerd door een InP-gebaseerde type-II epitaxial lagerstructuur te integreren op silicium golfgeleiders. Daarnaast werd ook een breed afstembare 2.05um III-V/silicium hybride externe caviteitslaser gedemonstreerd op basis van een GaSb optische versterker en een silicium fotonisch IC.