Door middel van heterogene integratie van Indium Phosphide membranen op silicium golfgeleiders worden halfgeleiderlasers gefabriceerd die tot op heel hoge snelheden kunnen gemoduleerd worden en heel hoge bitsnelheden (tot 56 Gbit/s) kunnen leveren. Deze lasers zijn vooral bruikbaar voor optische interconnecties op relatief korte afstanden, bv. voor het verbinden van de verschillende servers binnenin een datacenter of het tot stand brengen van optische vezelverbindingen tussen verschillende datacenters. De hoge modulatiebandbreedte is o.a. mogelijk door het hoge brekingsindex contrast van de membranen. Dit hoge indexcontrast leidt er namelijk toe dat de lasermode sterk overlapt met de actieve laag (de laag die voor de versterking van de laser zorgt). De lasermode overlapt ook sterk met het diffractierooster, dat in de onderliggende siliciumgolfgeleider is geetst. Dit diffractierooster zorgt daardoor voor heel sterke Bragg reflecties en leidt tot heel lage verliezen voor de laser. De lage verliezen en de hoge overlap van de lasermode met de actieve laag zorgen beiden voor een heel lage drempelstroom, hetgeen zich typisch in een hoge modulatiebandbreedte vertaald. Dit werk heeft geleid tot vele publicaties. Op de International Semiconductor Laser Conference werd het bekroond met de Best Student Paper Award.