Siliciumnitride (SiN) is een veelbelovend technologieplatform voor geïntegreerde fotonische systemen in het zichtbaar en in het nabije infrarood, mede door de compatibiliteit met de CMOS fabricagetechnologie. Om onder meer biomedische toepassingen en optische connecties voor datacommunicatie mogelijk te maken is de integratie van een coherente lichtbron op dit platform noodzakelijk. In dit werk wordt de heterogene integratie van III-V halfgeleidermaterialen op SiN golfgeleidercircuits gedemonstreerd. In het bijzonder wordt een 855 nm golflengte GaAs gebaseerde VCSEL geïntegreerd op en gekoppeld naar een SiN golfgeleidercircuit voor het eerst gedemonstreerd.