Optische zendontvangers die gebruik maken van siliciumfotonica worden nu algemeen beschouwd als een mogelijke vervanging voor hun bestaande elektrische tegenhangers voor toepassingen in b.v. datacenters. In de zoektocht naar een laserbron die monolithisch is geïntegreerd op Si, werden Germanium (Ge) lagen gedoteerd met fosfor (P) voorgesteld als een potentiële kandidaat. In dit proefschrift laten we zien dat deze P-dotering, de essentiële ingrediënt om Ge een efficiënte lichtemitter te maken, nadelige effecten introduceert. Carrierverstrooiing door de dotering leidt tot lijnbreedteverbreding en reductie van de levensduur van de carriers. Deze conclusies zijn gebaseerd op fotoluminescentiespectroscopie en transiënte absorptiespectroscopie en worden ondersteund door modellering van beide experimenten. Deze resultaten tonen aan dat het realiseren van een laser met voldoende lage drempelstroom, gebruikmakend van in-situ P-gedoteerde Ge als de actieve laag intrinsiek zeer moeilijk zal zijn. Ook het gebruik van Germanium als electro-absorptiemodulator werd onderzocht. Gebruikmakend van het Franz-Keldysh-effect konden we datasnelheiden van 56 Gbps demonstreren. We demonsteerden bovendien ook hoe excitonen in Ge kunnen worden gebruikt om de modulatiekarakteristieken verder te verbeteren.