Het doctoraatsonderzoek in dit proefschrift had als doel de mogelijkheden van silicium fotonica platforms te verbeteren door monolithische integratie van actieve III-V apparaten. Specifiek betrof dit het demonstreren van nanorichel golfgeleider fotodetector (NRGFD) apparaten, vervaardigd met aspect ratio trapping (ART) en nanorichel engineering (NRE) technieken. De nanorichel (NR) apparaten werden gevormd met In0.22Ga0.78As meerdere kwantumputten ingebed in het intrinsieke volume van een GaAs p-i-n-diodearchitectuur en werden gedemonstreerd als fotodetectoren. Dit werk heeft uitgebreid hun ontwerp, fabricage en zowel elektrische als optische karakterisering bestudeerd. Daarnaast werd de materiaalgroeikwaliteit van de nanorichel golfgeleider apparaten beoordeeld door verschillende lekmechanismen te extraheren via studies bij verhoogde temperatuur. Tegelijkertijd werd aanvullend ontwerp- en experimenteel werk verricht aan direct selectieve gebiedsgroei van III-V materialen op een bestaand silicium fotonica platform om actieve modulatie- en fotodetectiemogelijkheden rechtstreeks op hetzelfde platform te realiseren.