In dit doctoraat werd onderzoek gedaan werd op DFB laser diodes, bekomen door heterogene integratie van Indiumfosfide lagen op een silicium-op-isolator (SOI) passief optisch golfgeleidercircuit. Het doel was om compacte DFB lasers te fabriceren met hoge efficiëntie en lage lijnbreedte. De vermogenomzettingsefficiëntie drukt uit hoeveel optisch vermogen door een laser geleverd wordt per eenheid toegevoerd elektrisch vermogen. Een lage lijnbreedte, de spectrale breedte van de emissielijn, is belangrijk voor veel toepassingen zoals sensing, coherente communicatie, enz.. DFB laser diodes zijn laser diodes waarin de spiegelreflectie vervangen is door verdeelde (Bragg) in een diffractierooster, en daardoor een emissiespectrum vertonen bestaande uit een enkele lijn. Het gebruik van verdeelde reflecties heeft geleid tot de naam distributed feedback laser of DFB laser. Er werd bij het ontwerp van de lasers specifiek gebruik gemaakt van de lage verliezen van het silicium. Door er voor te zorgen dat het licht vooral geconcentreerd is in het silicium worden de interne verliezen van de laser minimaal. Om een heel lage lijnbreedte te bekomen wordt gebruik gemaakt van een kleine reflectie daar waar licht van de fotonische chip naar glasvezel wordt gekoppelt. Deze reflectie, extern aan de laser, kan de lijnbreedte sterk verminderen indien ze de juiste faze gegeven wordt.